图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPA086N10N3 G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 45A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8.6 mOhm @ 45A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 75µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 55nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3980pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 37.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
| 包装材料 | Tube |
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